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GB/T 17170-2015
半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

GBT17170-2015, GB17170-2015


標準號
GB/T 17170-2015
別名
GBT17170-2015, GB17170-2015
發布
2015年
總頁數
7頁
發布單位
國家質檢總局
當前最新
GB/T 17170-2015
 
 
引用標準
GB/T 14264
被代替標準
GB/T 17170-1997
適用范圍
本標準規定了半絕緣砷化久單晶深施主EL2 濃度的紅外吸收測試方法。 本標準適用于電阻率大于10”0,cm 的非挫雜和碳挫雜半絕緣砷化兒單品深施主EL2 濃度的測定。 本標準不適用于挫鉻半絕緣砷化餅單晶深施主EL2 濃度的測定。
術語描述
EL2 濃度
EL2 concentration
在砷化鎵單晶中的本征缺陷濃度。

GB/T 17170-2015 中提到的儀器設備

分光光度計
能在 0.8 nm至2.5 nm范圍掃描,零線吸光度波動不超過±0.002。
用于測量紅外吸收系數的儀器。

專題


GB/T 17170-2015相似標準





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