GB/T 17170-2015
半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
GBT17170-2015, GB17170-2015
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- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 17170-2015
- 別名
- GBT17170-2015
GB17170-2015 - 發(fā)布
- 2015年
- 總頁(yè)數(shù)
- 7頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 17170-2015
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 17170-1997
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化久單晶深施主EL2 濃度的紅外吸收測(cè)試方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于10”0，cm 的非挫雜和碳挫雜半絕緣砷化兒?jiǎn)纹飞钍┲鱁L2 濃度的測(cè)定。 本標(biāo)準(zhǔn)不適用于挫鉻半絕緣砷化餅單晶深施主EL2 濃度的測(cè)定。
| 術(shù)語(yǔ) | |
|---|---|
| EL2 濃度 | EL2 concentration |
GB/T 17170-2015 中提到的儀器設(shè)備
| 分光光度計(jì) 能在 0.8 nm至2.5 nm范圍掃描，零線吸光度波動(dòng)不超過(guò)±0.002。 | 用于測(cè)量紅外吸收系數(shù)的儀器。 |