GB/T 17170-2015
半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
GBT17170-2015, GB17170-2015
GB/T 17170-2015 中，可能用到以下儀器
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- 標準號
- GB/T 17170-2015
- 別名
- GBT17170-2015
GB17170-2015 - 發布
- 2015年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 17170-2015
- 引用標準
- GB/T 14264
- 被代替標準
- GB/T 17170-1997
本標準規定了半絕緣砷化久單晶深施主EL2 濃度的紅外吸收測試方法。 本標準適用于電阻率大于10”0，cm 的非挫雜和碳挫雜半絕緣砷化兒單品深施主EL2 濃度的測定。 本標準不適用于挫鉻半絕緣砷化餅單晶深施主EL2 濃度的測定。