ASTM F723-99
半導體材料電阻率與摻雜濃度之間轉換的標準方法
Standard Practice for Conversion Between Resistivity and Dopant Density for Boron-Doped, Phosphorus-Doped, and Arsenic-Doped Silicon
- 標準號
- ASTM F723-99 中文首頁
- 發布
- 1999年
- 總頁數
- 15頁
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 當前最新
- ASTM F723-99
- 引用標準
- ASTM F84
- 適用范圍
- 該標準已于 20031 年 5 月轉移至 SEMI (www.semi.org)。1 該實踐描述了 23°C 下硼和磷摻雜單晶硅的摻雜劑密度和電阻率之間的轉換。這些轉換主要基于 Thurber 等人 (1,2,3) 的數據，該數據針對塊狀單晶硅，對于磷摻雜硅，其摻雜劑密度值在 3 X 10 cm 至 1 X 10 cm 范圍內，并且在對于摻硼硅，范圍從 10 cm 到 1 X 10 cm。磷數據庫的補充方式如下:利用Esaki和Miyahara (4)的2個大塊樣本數據點和Fair和Tsai (5)的1個擴散樣本數據點將數據庫擴展至10 cm以上,并建立一個假想的磷數據庫。在 10 cm 處添加點以提高低摻雜劑密度值的轉換質量。
1.2 轉換的自一致性（電阻率對摻雜劑密度和摻雜劑密度對電阻率）（參見附錄 X1）對于硼從 0.0001 到 10 000 Ωcm（10 到 10 cm）的誤差在 3% 以內。對于 0.0002 至 4000 Ωcm（10 至 5 X 10 cm）的磷，為 4.5%。如果磷轉換用于密度高于 5 X 10 cm ，則該誤差會迅速增加。
1.3 這些換算基于硼和磷數據。它們可以擴展到硅中具有相似活化能的其他摻雜劑；盡管尚未確定其他摻雜劑的轉換精度，但預計磷數據對于砷和銻的使用將是令人滿意的，除非接近固溶度。見 5.3。
1.4 這些轉換是電阻率和摻雜劑密度之間的轉換，不應與電阻率和載流子密度之間的轉換或遷移率關系相混淆。注 1：Irvin (6) 編制的電阻率和摻雜劑密度之間常用的換算方法與附錄 X2 中的這種換算方法進行了比較。在此匯編中，歐文使用術語“雜質濃度”而不是術語“摻雜劑密度”。
1.5 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。