ASTM F1619-95(2000)
以布魯斯特角入射的p偏振輻射通過紅外吸收光譜法測量硅片間隙氧含量的標準試驗方法

Standard Test Method for Measurement of Interstitial Oxygen Content of Silicon Wafers by Infrared Absorption Spectroscopy with p-Polarized Radiation Incident at the Brewster Angle

被代替

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標準號

ASTM F1619-95(2000)

發布

1995年

總頁數

7頁

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM F1619-95(2000)e1

當前最新

ASTM F1619-95(2000)e1

 

 

引用標準

ASTM F1188 ASTM F1241

適用范圍

1.1 本測試方法 2 涵蓋通過傅里葉變換紅外 (FT-IR) 光譜測定商業單晶硅片間隙氧含量的吸收系數。在此測試方法中，入射輻射是 p 偏振的，并以布魯斯特角入射到測試樣本上，以最大限度地減少多次反射。 3 注 1——在本測試方法中，電矢量平行于入射平面的輻射被定義為 p 偏振輻射。注 2——F-1 委員會被告知，該測試方法的某些方面可能受到東芝陶瓷公司申請的專利的約束。 4 委員會對此類專利的適用性或有效性不采取任何立場，但它要求該測試方法的用戶和其他相關方提供與該測試方法相關的非專利替代品的任何可用信息。
1.2 由于間隙氧濃度與1107 cm -1 吸收帶的吸收系數成正比，因此可以使用獨立確定的校準因子直接導出晶片的間隙氧含量。
1.3 測試樣品是 SEMI 規范 M1 中規定類型的單面拋光硅片。晶片的正面經過鏡面拋光，背面可以進行切割、研磨或蝕刻（見 8.1.1.1）。
1.4 本測試方法適用于室溫下電阻率大于5V·cm的硅片。
1.5 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

專題

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