ASTM E1162-11(2019)
二次離子質譜法（SIMS）中濺射深度剖面數據報告的標準實施規程
Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
- 標準號
- ASTM E1162-11(2019)
- 發布
- 2019年
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 當前最新
- ASTM E1162-11(2019)
- 引用標準
- ASTM E673
- 適用范圍
- 1.1 本實踐涵蓋了描述和報告儀器、樣本參數、實驗條件和數據縮減程序所需的信息。 SIMS 濺射深度剖面可以使用各種主束激發條件、質量分析、數據采集和處理技術來獲得 (1-4)。2 1.2 局限性 — 這種做法僅限于對信息進行平均的傳統濺射深度剖面。在樣本平面上的分析區域上。允許分析區域內二次離子橫向空間分辨率的離子微探針或顯微鏡技術（例如圖像深度分析）被排除在外。
1.3 以 SI 單位表示的值應被視為標準值。本標準不包含其他計量單位。
1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任建立適當的安全、健康和環境實踐，并在使用前確定監管限制的適用性。
1.5 本國際標準是根據世界貿易組織貿易技術壁壘（TBT）委員會發布的《關于制定國際標準、指南和建議的原則的決定》中確立的國際公認的標準化原則制定的。